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EMH2314
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID= -- 1mA, VGS=0V
VDS= --12 V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
--12
--10
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS= --6 V, ID= -- 1mA
VDS= --6 V, ID= --2.5 A
ID= --2.5A, VGS= --4.5V
--0.4
11
28
--1.3
37
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID= --1.5A, VGS= --2.5V
ID= --0.5A, VGS= --1.8V
VDS= --6V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS= --6V, VGS= --4.5V, ID= --5A
IS= --5A, VGS=0V
53
133
1300
158
143
16
77
79
58
12
3
2
--0.9
75
200
--1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
0V
--4.5V
VIN
VIN
VDD= --6V
ID= --2.5A
RL=2.4 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
P.G
50 Ω
S
EMH2314
Ordering Information
Device
EMH2314-TL-H
Package
EMH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No.8759-2/7
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